產(chǎn)品中心
PRODUCTS CENTER
當前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心MDPMDPpro 850+MDPpro 850+1少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
產(chǎn)品分類(lèi)
相關(guān)文章
少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
特點(diǎn) ：
◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）
◇ SEMI標準：PV9-1110
◇ 測試速度：線(xiàn)掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min
◇ 同時(shí)測量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率
◇ 自動(dòng)幾何形狀識別： G12、M10晶磚和晶圓片
應用 :
◇ 壽命 & 電阻率面掃描
◇ 晶體生長(cháng)監控（即滑移線(xiàn)）
◇ 污染監測
◇ 氧條紋/OSF環(huán)
◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖
◇ 發(fā)射極層的方阻
◇ 更多…
技術(shù)規格 :
| 材料 | 單晶硅 |
| 晶錠尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2，晶磚長(cháng)850 mm或更長(cháng) |
| 晶圓尺寸 | 直徑可達300 mm |
| 電阻率范圍 | 0.5 – 5 ohm cm。根據要求提供其他范圍 |
| 導電類(lèi)別 | p/n |
| 可測量的參數 | 壽命-μPCD/MDP（QSS）、光電導率、電阻率等 |
| 默認激光器 | IR激光二極管（980 nm，不超過(guò)500 mW）和IR激光二極管（905 nm，不超過(guò)9000 mW）?？筛鶕筇峁┢渌ㄩL(cháng) |
| 電腦 | Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個(gè)以太網(wǎng)端口 |
| 電力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
| 尺寸（寬*高*長(cháng)） | 2560 × 1910 × 1440 mm |
| 重量 | 約200 kg |
| 認證 | 根據ISO 9001準則制造，符合CE要求 |
直拉硅單晶硅錠中的滑移線(xiàn)
含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量
MDP studio - 操作和評估軟件 ：
用戶(hù)友好且*的操作軟件具有：
◇ 導入和導出功能
◇ 帶有操作員的用戶(hù)結構
◇ 所有執行的測量概覽
◇ 樣品參數輸出
◇ 單點(diǎn)測量（例如：注入濃度相關(guān)的測量）
◇ 面掃描
◇ 測試配方
◇ 分析功能包
◇ 線(xiàn)掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖
配置選項：
◇ 光斑尺寸變化
◇ 電阻率測量（晶磚和晶圓片）
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測量（MDP）
◇ LBIC
◇ P型摻雜硅中的鐵圖譜
◇ p/n檢測
◇ 條碼讀取器
◇ 自動(dòng)幾何識別
◇ 寬的激光器波長(cháng)范圍
少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+) 應用 ：
鐵濃度測定
鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線(xiàn)的
更多......
摻雜樣品的光電導率測量
B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應用，但到目前為止，沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
更多......
陷阱濃度測定
陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
更多......
注入相關(guān)測量
少數載流子壽命強烈依賴(lài)于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線(xiàn)的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心的信息。
更多......
遠程訪(fǎng)問(wèn)基于IP的系統允許在世界任何地方進(jìn)行遠程操作和技術(shù)支持
多晶硅晶圓線(xiàn)掃描
HJT晶圓的壽命測量
掃一掃，關(guān)注公眾號
服務(wù)電話(huà)：
021-34685181
上海市松江區千帆路288弄G60科創(chuàng )云廊3號樓602室
wei.zhu@shuyunsh.com
服務(wù)熱線(xiàn)：
021-34685181
17621138977
上一個(gè)：
返回列表